PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

PNY Electronics PNY 2GB против Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 36
    Около 25% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 13.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.7 left arrow 8.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 10600
    Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 36
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.8 left arrow 16.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 12.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2274 left arrow 2353
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения