RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Сравнить
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
-->
Средняя оценка
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
38
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.1
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.1
Скорость записи, Гб/сек
10.0
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2753
2164
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link