RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
79
Около -229% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,468.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
79
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,061.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,468.1
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
422
2852
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Сравнения RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link