RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB против Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Средняя оценка
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
42
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
12.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2001
2382
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link