RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB против Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Средняя оценка
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
42
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2001
2978
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link