RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
42
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
39
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
2478
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link