RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
100
Около 58% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
7.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
100
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
1479
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link