Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

-->

Средняя оценка

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 73

Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.3 13.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.8 7.0

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 73
Скорость чтения, Гб/сек

15.3 13.4
Скорость записи, Гб/сек

9.8 7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2646 1468

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB

модули RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB

Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB

Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston 9905625-097.A00G 16GB

Kingston 9905625-097.A00G 16GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB

Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB

модули RAM

Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB

Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB

Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB

Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB

Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB

Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB

модули RAM