RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.6
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.8
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
20.6
Скорость записи, Гб/сек
9.8
18.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
4112
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link