RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3046
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link