RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3120
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link