RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2683
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link