RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
34
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.2
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3055
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link