RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
64
Около 61% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
64
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1845
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link