RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
38
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
12.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2690
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link