RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
32
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.6
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3000
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link