RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
12.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2619
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link