RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
25
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
20.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3609
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link