Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Maxsun MSD416G26Q3 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Maxsun MSD416G26Q3 16GB

Maxsun MSD416G26Q3 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 84
    Около 70% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.1 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.1 left arrow 7.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 12800
    Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    25 left arrow 84
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.1 left arrow 12.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.1 left arrow 7.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2764 left arrow 1486
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения