RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Maxsun MSD416G26Q3 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
84
Около 70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
84
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
12.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1486
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2400U2S 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link