RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
11.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1997
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link