RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
43
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
43
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
11.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2532
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link