Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 29

Около 14% меньшая задержка

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

10.7 10.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 29
Скорость чтения, Гб/сек

16.1 16.1
Скорость записи, Гб/сек

10.1 10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2764 2979

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Micron Technology 16G2666CL19 16GB

Micron Technology 16G2666CL19 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB

Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Kingston K821PJ-MID 16GB

Kingston K821PJ-MID 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB

модули RAM

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB

Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB

Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB

модули RAM

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9905599-025.A00G 8GB

Kingston 9905599-025.A00G 8GB

модули RAM