RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
11.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2199
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link