RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
43
Около -95% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
22
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3051
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link