RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
43
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3606
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link