RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
9.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
43
Около -54% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
13.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2586
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link