RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
43
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2791
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link