RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
43
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
14.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2466
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link