Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    14.9 left arrow 11.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.6 left arrow 9.5
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    41 left arrow 43
    Около -5% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    43 left arrow 41
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.9 left arrow 11.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 9.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2506 left arrow 2058
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения