RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
9.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
43
Около -16% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
37
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2722
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link