RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
43
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3033
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link