RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    14.9 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.6 left arrow 6.1
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    41 left arrow 43
    Около -5% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    43 left arrow 41
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.9 left arrow 7.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 6.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2506 left arrow 1512

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM

A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
модули RAM
Corsair CMY16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMY16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
модули RAM
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
модули RAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
модули RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
модули RAM