RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
21.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
59
Около -228% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
18
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
21.4
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
18.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3625
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link