RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
59
Около -157% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
17.4
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2624
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link