RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
59
Около -168% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
18.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3291
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link