RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
82
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
82
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
12.3
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
1930
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link