RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
59
Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3673
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link