RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
59
Около -79% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2702
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link