RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
59
Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2810
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link