RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
59
Около -111% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
19.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3717
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link