RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
22.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
59
Около -119% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
22.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
18.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
4177
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link