RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
23
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
15
59
Около -293% меньшая задержка
Выше скорость записи
21.0
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
15
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
23.0
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
21.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
4039
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link