RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
91
Около 35% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6.1
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
4.3
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
91
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
6.1
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
4.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
1214
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
MDT Technologies GmbH MDT 1GB DDR2-66 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
KingSpec KingSpec 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link