RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
59
Около -59% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2808
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link