RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
59
Около -69% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
14.8
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2336
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link