Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 14.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,123.3 left arrow 11.2
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    35 left arrow 59
    Около -69% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 6400
    Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    59 left arrow 35
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,833.8 left arrow 14.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,123.3 left arrow 11.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    731 left arrow 2336
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения