RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
13.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
59
Около -111% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
17.1
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2833
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link