RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
59
Около -55% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2283
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link