RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
69
Около -146% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
17.9
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3453
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link