RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
69
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3199
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link