RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
69
Около -146% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3085
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link